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NTE451

更新时间: 2024-02-08 21:31:38
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NTE 晶体放大器晶体管
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2页 26K
描述
Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier

NTE451 数据手册

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NTE451  
Silicon N–Channel JFET Transistor  
VHF/UHF Amplifier  
Absolute Maximum Ratings:  
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
V
I = –1µA, V = 0  
–25  
V
nA  
nA  
V
(BR)GSS  
G
DS  
I
V
= –20V, V = 0  
–1.0  
–0.2  
–4.0  
GSS  
GS  
GS  
DS  
V
= –20V, V = 0, T = +100°C  
DS  
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
ON Characteristics  
V
I = 10nA, V = 15V  
–0.5  
GS(off)  
D
DS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
V
DS  
= 15V, V = 0  
4
20  
mA  
DSS  
GS  
Small Signal Characteristics Characteristics  
Forward Transfer Admittance  
Input Admittance  
|y |  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
= 15V, V = 0, f = 1kHz  
3500  
7000 µmho  
1000 µmho  
fs  
GS  
Re(y )  
= 15V, V = 0, f = 400MHz  
is  
GS  
Output Admittance  
|y |  
os  
= 15V, V = 0, f = 1kHz  
60  
µmho  
GS  
Output Conductance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Re(y )  
= 15V, V = 0, f = 400MHz  
3000  
100 µmho  
os  
GS  
g
fs  
= 15V, V = 0, f = 400MHz  
5
1
2
µmho  
pF  
GS  
C
= 15V, V = 0, f = 1MHz  
GS  
iss  
rss  
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
C
= 15V, V = 0, f = 1MHz  
pF  
GS  
C
= 15V, V = 0, f = 1MHz  
pF  
GS  

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