NTE2992

更新时间： 2024-11-20 04:36:03

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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2页	29K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2992 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

NTE2992 数据手册

NTE2992

MOSFET

N-Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D 4V Gate Drive

D Low Drain-Source On-Resistance

D High Forward Transfer Admittance

D Low Leakage Current

Applications:

D Switching Regulators

D UPS

D DC-DC Converters

D General Purpose Power Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Drain-Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Drain-Gate Voltage (R_GS= 20kΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Gate-Source Voltage, V_GSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Drain Current, I_D

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24A

Maximum Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.77°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

I = 10mA, V = 0V

600

(BR)DSS

I = 1mA, V = 10V

1.5

3.5

GS(th)

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Source Leakage Current

Drain-Source On-State Resistance

Forward Transfer Admittance

Input Capacitance

= 600V, V = 0V

300

±100

µA

Ω

DSS

= ±25V, V = 0V

GSS

I = 3A, V = 10V

0.95 1.25

DS(on)

I = 3A, V = 10V

= 10V, V = 0V, f = 1MHz

1400 2000

iss

Output Capacitance

120

380

oss

Reverse Transfer Capacitance

rss

250

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