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NTE2998

更新时间： 2024-11-24 15:46:55

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NTE		/
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
Transistor,

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NTE2998 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NTE2998 数据手册

NTE2998

MOSFET

P−Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

(Compl to NTE2906)

TO3 Type Package

Features:

D High Speed Switching

D High Voltage

D High Energy Rating

D Enhancement Mode

D Integral Protection Diode

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25 C unless otherwise specified)

Drain−Source Voltage, V_DSX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Gate−Source Voltage, V_GSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . m14V

Continuous Drain Current, I_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Body Drain Diode, I_D(PK). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Total Power Dissipation (T_C= +25 C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Maximum Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150 C

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0 C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25 C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Static Characteristics

Drain−Source Breakdown Voltage

Gate−Source Breakdown Voltage

Gate−Source Cut−Off Voltage

Drain−Source Saturation Voltage

Drain−Source Cut−Off Current

Forward Transfer Admittance

BV_DSXV_GS= 10V, I_D= 10mA

BV_GSSV_DS= 0, I_G= m100mA

V_GS(OFF)V_DS= 10V, I_D= 100mA

V_DS(SAT)V_GD= 0, I_D= 8A, Note 1

200

m14

0.15

−

1.5

2.0

I_DSX

y_fs

V_GS= 10V, V_DS= 200V

−

V_DS= 10V, I_D= 3A, Note 1

0.7

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle 2%.

Rev. 10−13

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