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NTE2995

更新时间： 2024-09-14 20:53:23

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NTE		/
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3页	83K
描述
Transistor,

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NTE2995 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

NTE2995 数据手册

NTE2995

MOSFET

N−Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D R_DS(on)= 0.65Ω Typical

D Extremely High dv/dt Capability

D Gate Charge Minimized

D Gate−to−Source Zener Diode Protected

Applications:

D High Current, High Speed Switching

D Ideal for Off−Line Power Supplies, Adaptor and PFC

D Lighting

Absolute Maximum Ratings:

Drain−Source Voltage (V_GS= 0), V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Drain−Gate Voltage (R_GS= 20kΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Gate−Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.7A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A

Total Power Dissiption (T_C= +25°C), P_TOT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92W/°C

Gate−Source ESD Voltage (HBM C = 100pF, R = 1.5kΩ), V_esd(G−S). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4000V

Peak Diode Recovery Voltage Slope (Note 2), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns

Avalanche Current, Repetitive or Non−Repetitive (Pulse Width Limited by T_Jmax), I_AR. . . . . . . 9A

Single Pulse Avalanche Energy (Starting T_J= +25°C, I_D= I_AR, V_DD= 50V), E_AS. . . . . . . . . 300mJ

Repetitive Avalanche Energy (Pulse Width Limited by T_Jmax), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5mJ

Minimum Gate−Source Breakdown Voltage (I_GS= ±1mA, Open Drain, Note 3), V_(BR)GSO. . . . 30V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.09°C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Lead Temperature (During Soldering), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Note 1. Pulse width limited by safe operating area.

Note 2. I_SD≤ 10A, di/dt ≤ 200A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ T_Jmax.

Note 3. The built−in back−to−back Zener diodes have specifically been designed to enhance not

only the device’s ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage tran-

sients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect their Zener volt-

age is appropriate to achieve an efficient and cost−effective intervention to protect the de-

vice’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE2997	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2998	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2999	NTE	获取价格	MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2V010	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
NTE2V014	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
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