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NTE2995

更新时间： 2024-11-20 20:53:23

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NTE		/
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3页	83K
描述
Transistor,

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NTE2995 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

NTE2995 数据手册

NTE2995

MOSFET

N−Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D R_DS(on)= 0.65Ω Typical

D Extremely High dv/dt Capability

D Gate Charge Minimized

D Gate−to−Source Zener Diode Protected

Applications:

D High Current, High Speed Switching

D Ideal for Off−Line Power Supplies, Adaptor and PFC

D Lighting

Absolute Maximum Ratings:

Drain−Source Voltage (V_GS= 0), V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Drain−Gate Voltage (R_GS= 20kΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Gate−Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.7A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A

Total Power Dissiption (T_C= +25°C), P_TOT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92W/°C

Gate−Source ESD Voltage (HBM C = 100pF, R = 1.5kΩ), V_esd(G−S). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4000V

Peak Diode Recovery Voltage Slope (Note 2), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns

Avalanche Current, Repetitive or Non−Repetitive (Pulse Width Limited by T_Jmax), I_AR. . . . . . . 9A

Single Pulse Avalanche Energy (Starting T_J= +25°C, I_D= I_AR, V_DD= 50V), E_AS. . . . . . . . . 300mJ

Repetitive Avalanche Energy (Pulse Width Limited by T_Jmax), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5mJ

Minimum Gate−Source Breakdown Voltage (I_GS= ±1mA, Open Drain, Note 3), V_(BR)GSO. . . . 30V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.09°C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Lead Temperature (During Soldering), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Note 1. Pulse width limited by safe operating area.

Note 2. I_SD≤ 10A, di/dt ≤ 200A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ T_Jmax.

Note 3. The built−in back−to−back Zener diodes have specifically been designed to enhance not

only the device’s ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage tran-

sients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect their Zener volt-

age is appropriate to achieve an efficient and cost−effective intervention to protect the de-

vice’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2996	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2997	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2998	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2999	NTE	获取价格	MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2V010	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
NTE2V014	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
NTE2V015	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
NTE2V017	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
NTE2V020	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)
NTE2V025	NTE	获取价格	Metal Oxide Varistors (MOV)

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