NTE300

更新时间： 2024-11-17 22:50:55

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NTE		晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier

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NTE300 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.16
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	7 W	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	65 MHz
Base Number Matches：	1

NTE300 数据手册

NTE300 (NPN) & NTE307 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Power Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage

V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_C= 10mA, R_BE= ∞

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

V_(BR)EBOI_E= 1mA, I_C= 0

–

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 25V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

–

µA

–

DC Current Gain

V_CE= 4V, I_C= 500mA

–

300

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Voltage

V_CE(sat)I_C= 1A, I_B= 50mA

V_BEV_CE= 4V, I_C= 50mA

–

0.7

–

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