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NTE30 PDF预览

NTE30

更新时间： 2024-11-18 07:10:11
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NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon Complementary Transistors High Power, High Current Switch

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NTE30 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：300 W最大功率耗散 (Abs)：300 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

NTE30 数据手册

 浏览型号NTE30的Datasheet PDF文件第2页 
NTE29 (NPN) & NTE30 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Power, High Current Switch  
Description:  
The NTE29 (NPN) and NTE30 (PNP) are compelmentary power transistors in a TO3 type case designed  
for use in high power amplifier and switching circuit applications.  
Features:  
D High Current Capability: IC = 50A (Continuous)  
D DC Current Gain: hFE= 15 to 60 @ IC = 25A  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1V Max @ IC = 25A  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.715W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.584°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 0.2A, IB = 0, Note 1  
80  
–
–
–
–
–
–
1
V
Collector Cutoff Current  
ICEO  
ICEX  
VCE = 40V, IB = 0  
mA  
mA  
mA  
VCE = 80V, VEB(off) = 1.5V  
–
2
VCE = 80V, VEB(off) = 1.5V,  
–
10  
TC = +150°C  
ICBO  
IEBO  
VCB = 80V, IE = 0  
VBE = 5V, IC = 0  
–
–
–
–
2
5
mA  
mA  
Emitter Cutoff Current  
12

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