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NTE2994

更新时间： 2024-11-24 20:46:23

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描述
Transistor,

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NTE2994 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.13
Base Number Matches：	1

NTE2994 数据手册

NTE2994

MOSFET

N−Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +255C unless otherwise specified)

Drain−Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V

Gate−Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V

Continuous Drain Current, I_D

Continuous (T_C= +255C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +10A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +40A

Maximum Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Avalanche Energy (V_CC= 45V, L = 1.58mH), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86.2mJ

Avalanche Current, Repetitive or Non−Repetitive (T_J3 +1505C), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1505C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.55C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.55C/W

Electrical Characteristics: (T_J= +255C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

450

3.5

−

Typ Max Unit

Drain−Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

I = 1mA, V = 0V

−

DSS

GS(th)

I = 1mA, V = V

4.0

0.2

4.5

500

1.0

100

Zero Gate Voltage Drain Current

= 450, V = 0V, T = +255C

DSS

= 450, V = 0V, T = +1255C

−

Gate−Source Leakage Current

−

= +30V, V

= 0V

GSS

Drain−Source On−State Resistance

Forward Transconductance

Input Capacitance

DS(on)

I = 5A, V = 10V

−

3.0

−

0.58 0.65

6.0

950 1450

I = 5A, V = 25V

−

= 25v, V = 0V, f = 1MHz

iss

oss

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn−On Time

−

180

−

270

120

−

rss

−

= 300V, V = 10V, I = 10A,

d(on)

= 10+

Rise Time

−

110

Turn−Off Time

−

d(off)

Fall Time

−

Avalanche Capability

Diode Forward On−Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

L = 1003H, T = +255C

−

I = 2 x I , V = 0V, T = +255C

1.1

400

5.0

1.65

−

I = I , V = 0V, − dl /dt = 100A/3s,

T = +255C

Rev. 10−13

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