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NSVEMT1DXV6T1G

更新时间： 2024-11-30 01:18:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
Dual General Purpose Transistor

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NSVEMT1DXV6T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

NSVEMT1DXV6T1G 数据手册

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EMT1DXV6  
Dual General Purpose  
Transistor  
PNP Dual  
This transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low  
power surface mount applications.  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Features  
• Lead−Free Solder Plating  
• Low V  
, t0.5 V  
Q
CE(SAT)  
1
2
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
(4)  
(5)  
(6)  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
6
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
−60  
Unit  
V
SOT−563  
CASE 463A  
STYLE 1  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−50  
V
Emitter−Base Voltage  
−6.0  
−100  
V
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
I
C
mAdc  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
3T M G  
Symbol  
Max  
Unit  
G
Total Device Dissipation  
P
D
mW  
1
T = 25°C  
357  
(Note 1)  
2.9  
A
mW/°C  
3T = Specific Device Code  
Derate above 25°C  
M
G
= Month Code  
= Pb−Free Package  
(Note 1)  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
°C/W  
q
(Note: Microdot may be in either location)  
JA  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
D
mW  
T = 25°C  
500  
(Note 1)  
4.0  
A
mW/°C  
Derate above 25°C  
(Note 1)  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 1)  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−4 @ Minimum Pad.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
November, 2014 − Rev. 2  
EMT1DXV6T1/D  
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSVEMT1DXV6T5G ONSEMI

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