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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-258 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-258AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSF402005 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NSF403009 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NSF40402 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-258 |
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| NSF404025 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NSF405023 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NSF40504 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258 |
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| NSF40505 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NSF40604 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NSF406045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-258 |
|
| NSF40708 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 700V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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