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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-258 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-258AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSF40913 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NSF41011 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NSF41013 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NSF460 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
|
| NSF605023 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-3 |
|
| NSF60603 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
|
| NSF60604 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3 |
|
| NSF60605 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 14.5A I(D) | TO-3 |
|
| NSF60606 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3 |
|
| NSF60708 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3 |
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