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NSF405023

更新时间: 2024-11-12 20:20:23
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美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN

NSF405023 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-258
包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):24 A
最大漏极电流 (ID):24 A最大漏源导通电阻:0.23 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-258AA
JESD-30 代码:R-MSFM-P3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):250 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NSF405023 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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