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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-258AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSF406045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-258 |
|
| NSF40708 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 700V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NSF40709 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 700V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NSF40808 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NSF40911 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NSF40913 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NSF41011 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NSF41013 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NSF460 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
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| NSF605023 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-3 |
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