5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-258 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-258AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSF403009 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NSF40402 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-258 |
|
| NSF404025 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NSF405023 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NSF40504 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258 |
|
| NSF40505 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NSF40604 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NSF406045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-258 |
|
| NSF40708 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 700V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NSF40709 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 700V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
