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NSBC114TDXV6T5G

更新时间： 2024-01-20 16:45:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
Dual NPN Bias Resistor Transistors

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NSBC114TDXV6T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.87
Samacsys Description：Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

NSBC114TDXV6T5G 数据手册

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MUN5215DW1,  
NSBC114TDXV6,  
NSBC114TDP6  
Dual NPN Bias Resistor  
Transistors  
http://onsemi.com  
PIN CONNECTIONS  
(2)  
R1 = 10 kW, R2 = 8 kW  
NPN Transistors with Monolithic Bias  
Resistor Network  
(3)  
(1)  
This series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The Bias Resistor  
Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias  
network consisting of two resistors; a series base resistor and a  
base−emitter resistor. The BRT eliminates these individual  
components by integrating them into a single device. The use of a BRT  
can reduce both system cost and board space.  
R
1
R
2
Q
1
Q
2
R
2
R
1
Features  
(4)  
(5)  
(6)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications  
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;  
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable*  
MARKING DIAGRAMS  
6
SOT−363  
CASE 419B  
7E M G  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
G
1
1
Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
(T = 25°C, common for Q1 and Q2, unless otherwise noted)  
A
SOT−563  
CASE 463A  
7E M G  
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Collector Current − Continuous  
Input Forward Voltage  
Symbol  
Max  
50  
Unit  
Vdc  
G
V
CBO  
CEO  
V
50  
Vdc  
SOT−963  
CASE 527AD  
I
C
100  
40  
mAdc  
Vdc  
R
M G  
V
IN(fwd)  
G
1
Input Reverse Voltage  
V
IN(rev)  
6
Vdc  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
7E/R  
M
G
=
=
=
Specific Device Code  
Date Code*  
Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
*Date Code orientation may vary depending up-  
on manufacturing location.  
Device  
Package  
SOT−363  
SOT−363  
SOT−563  
SOT−563  
SOT−963  
Shipping  
MUN5215DW1T1G  
NSVMUN5215DW1T1G*  
NSBC114TDXV6T1G  
NSBC114TDXV6T5G  
NSBC114TDP6T5G  
3,000 / Tape & Reel  
3,000 / Tape & Reel  
4,000 / Tape & Reel  
8,000 / Tape & Reel  
8,000 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and  
tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
July, 2014 − Rev. 1  
DTC114TD/D  
12345678

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NSBC114TDXV6T5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSBC114YPDXV6T1G ONSEMI

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 Dual Bias Resistor Transistors
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NSBC114TF3T5G ONSEMI

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NSBC114TPDXV6T1G ONSEMI

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NSBC114YDP6 ONSEMI

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NSBC114YDP6T5G ONSEMI

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 		Dual Bias Resistor Transistors
NSBC114YDXV6T1 ROCHESTER

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 		100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01,
NSBC114YDXV6T1G ONSEMI

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 		Dual NPN Bias Resistor Transistors
NSBC114YDXV6T5 ONSEMI

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 		100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01,

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