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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.01 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSBC115EDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
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| NSBC115EDXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, |
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| NSBC115EPDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bias Resistor Transistors R1 = |
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| NSBC115TD | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bias Resistor Transistors |
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| NSBC115TDP6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bias Resistor Transistors |
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| NSBC115TF3 | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) |
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| NSBC115TF3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) |
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| NSBC123EDXV6 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
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| NSBC123EDXV6T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| NSBC123EDXV6T1 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, |
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