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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSBC114YPDXV6T1G | ONSEMI |
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Dual Bias Resistor Transistors |
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| NSBC114YPDXV6T5 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 |
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| NSBC114YPDXV6T5G | ONSEMI |
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Complementary Bias Resistor Transistors |
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| NSBC115EDXV6T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| NSBC115EDXV6T1 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, |
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| NSBC115EDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
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| NSBC115EDXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, |
|
| NSBC115EPDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bias Resistor Transistors R1 = |
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| NSBC115TD | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bias Resistor Transistors |
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| NSBC115TDP6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bias Resistor Transistors |
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