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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.62 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NS41256S15J-SMD | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| NS41256S20E/883 | TI |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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| NS41256S20E-SMD | TI |
获取价格 |
IC,SRAM,32KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC |
|
| NS41256S20J/883 | TI |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
|
| NS41256S20J/883 | NSC |
获取价格 |
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28, Static RAM |
|
| NS41256S20J-SMD | TI |
获取价格 |
IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| NS41256S35E/883 | TI |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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| NS41256S45E/883 | TI |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
|
| NS41256S45J/883 | TI |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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| NS420 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 20000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme |
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