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NS41256S45J/883

更新时间： 2024-02-17 23:20:40

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	40K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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技术参数
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NS41256S45J/883 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.33
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	长度：	37.08 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.72 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

NS41256S45J/883 数据手册

MICROCIRCUIT DATA SHEET

Original Creation Date: 11/28/95

Last Update Date: 02/05/97

MNNS41256S45-X REV 0A0

Last Major Revision Date: 11/28/95

256K Static RAM (32K x 8 bit)

General Description

NS41256S45 is a high performance, standard power version CMOS static RAM organized as

32,768 X 8 bits with 45nS address to access time. The NS41256 operates from a single +5V

power supply and all the inputs and outputs are fully TTL compatible.

Industry Part Number

NS Part Numbers

NS41256S45

NS41256S45E/883

NS41256S45J/883

Prime Die

PDM41256V

Processing

Subgrp Description

Temp (^oC)

MIL-STD-883, Method 5004

Static tests at

+25

Static tests at

+125

-55

Static tests at

Dynamic tests at

Functional tests at

Switching tests at

+25

Quality Conformance Inspection

+125

-55

MIL-STD-883, Method 5005

+25

+125

-55

+25

+125

-55

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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