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NRVBS310FA

更新时间： 2024-12-01 11:12:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 功效瞄准线测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 212K
描述
3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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NRVBS310FA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SOD-123FL, 2 PINReach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.72
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.008 µs反向测试电压：100 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

NRVBS310FA 数据手册

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SS34FA-S310FA  
Schottky Barrier Rectifiers,  
Surface Mount, 3 A,  
40 V-100 V  
Features  
www.onsemi.com  
• Low Power Loss, High Efficiency  
• Guard Ring for Overvoltage Protection  
• High Surge Current Capability  
• UL Flammability 94V−0 Classification  
• MSL 1 per J−STD−020  
2
1
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
SOD−123FL  
CASE 425AB  
• This Device is Pb−Free and RoHS Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
1
2
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Cathode  
Anode  
Symbol  
Parameter  
SS34FA SS36FA S310FA Unit  
V
RRM  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage  
40  
60  
100  
V
MARKING DIAGRAM  
V
RMS Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
28  
40  
42  
60  
3
70  
V
V
A
RMS  
V
100  
R
I
Average Forward Rectified  
Current  
&Y  
&Z*&G  
F(AV)  
1
I
Peak Forward Surge  
Current: 8.3 ms Single Half  
Sine−Wave Superimposed  
on Rated Load  
80  
A
FSM  
&Y = Binary Calendar Year Coding Scheme  
&Z = Assembly Plant Code  
T
Operating Junction  
Temperature Range  
−55 to  
+125  
−55 to +150  
−55 to +150  
°C  
°C  
J
*
= Specific Device Code  
(34L, 36L or 30L)  
T
Storage Temperature Range  
&G = Single Digit Weekly Datecode  
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted) (Note 1)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
16  
Unit  
°C/W  
°C/W  
y
JL  
Thermal Characteristics, Junction−to−Lead  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
152  
q
JA  
1. Per JESD51−3 Recommended Thermal Test Board. Device mounted on  
FR−4 PCB, board size = 76.2 mm × 114.3 mm.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
July, 2019 − Rev. 2  
SS36FA/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NRVBS3200NT3G ONSEMI

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 		Schottky Power Rectifier, Surface Mount, 3.0 A, 200 V
NRVBS3200T3G ONSEMI

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