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NP36N055HLE-AZ

更新时间： 2024-02-08 23:24:52
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瑞萨 - RENESAS 开关脉冲晶体管
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9页 376K
描述
Power MOSFETs for Automotive, , /

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NP36N055HLE-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.46
雪崩能效等级（Eas）：108 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NP36N055HLE-AZ 数据手册

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NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE  
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.  
CHANNEL TEMPERATURE  
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE  
FORWARD VOLTAGE  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Pulsed  
Pulsed  
100  
10  
V
GS = 10 V  
V
GS = 0 V  
V
GS = 10 V  
1
5 V  
4.5 V  
0.1  
0.01  
I
D
= 18 A  
0
1.0  
- Source to Doltage - V  
1.5  
0
0.5  
100  
150  
0
50  
−50  
V
SD  
Tch - Channel Temperature - ˚C  
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO  
SOURCE VOLTAGE  
Figure15. SWITHARACTERISTICS  
1000  
100  
10000  
1000  
100  
V
GS = 0 V  
f = 1 MHz  
tf  
C
iss  
td(off)  
td(on)  
C
oss  
rss  
tr  
C
10  
1
0.1  
1
10  
100  
10  
0.1  
1
10  
ID - Drain Current - A  
VDS - Drain to Source Voltage
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS  
Figure16. REVERSE RECOVE vs.  
DRAIN CURREN
16  
14  
12  
10  
8
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1000  
100  
di/dt = 100 A/µs  
GS = 0 V  
V
V
DD = 44 V  
V
GS  
28 V  
11 V  
6
10  
1
4
V
DS  
2
I
D
= 36 A  
70  
0
80  
0
10  
20 30 40  
50 60  
0.1  
1.0  
10  
100  
QG  
- Gate Charge - nC  
I
F
- Drain Current - A  
5
Data Sheet D14156EJ3V0DS  
1...456789

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP36N055IHE NEC

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