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NP36N055HLE-AZ

更新时间： 2024-02-13 03:49:48
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瑞萨 - RENESAS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 376K
描述
Power MOSFETs for Automotive, , /

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NP36N055HLE-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.46
雪崩能效等级（Eas）：108 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NP36N055HLE-AZ 数据手册

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NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
CHARACTERISTICS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
10  
UNIT  
µA  
µA  
V
VDS = 55 V, VGS = 0 V  
IDSS  
VGS = ±20 V, VDS = 0 V  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
VDS = 10 V, ID = 18 A  
VGS = 10 V, ID = 18 A  
VGS = 5 V, ID = 18 A  
VGS = 4.5 V, ID = 18 A  
VDS = 25 V  
±10  
2.5  
IGSS  
1.5  
11  
2
23  
Gate to Source Threshold Voltage  
VGS(th)  
| yfs |  
RDS(on)1  
RDS(on)2  
RDS(on)3  
Ciss  
Note  
Forward Transfer Admittance  
S
Note  
10  
13  
16  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
Drain to Source On-state Resistance  
12  
13  
18  
2900  
370  
80  
22  
4400  
560  
330  
48  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
VGS = 0 V  
Coss  
f = 1 MHz  
Crss  
VDD = 28 V, ID = 18 A  
VGS = 10 V  
td(on)  
tr  
14  
36  
ns  
RG = 1 Ω  
69  
140  
29  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
td(off)  
tf  
ns  
12  
ns  
VDD = 44 V, VGS = 10 V,
VDD = 44 V  
53  
80  
Total Gate Charge  
QG1  
nC  
nC  
nC  
nC  
V
30  
45  
QG2  
VGS = 5 V  
9
Gate to Source Charge  
Gate to Drain Charge  
QGS  
ID = 18 A  
15  
QGD  
VF(S-D)  
trr  
Note  
IF = 3= 0 V  
, VGS = 0 V  
= 100 A/µs  
1.0  
42  
Body Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Note Pulsed  
ns  
60  
Qrr  
nC  
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAP
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME  
D.U.T
L
D.U.T.  
V
GS  
0
RG  
= 25 Ω  
50 Ω  
R
L
90%  
V
GS  
Wave Form  
V
GS  
10%  
90%  
R
G
PG.  
V
DD  
PG.  
GS = 20 → 0 V  
V
DD  
V
VDS  
90%  
V
DS  
V
0
GS  
BVDSS  
10% 10%  
V
DS  
Wave Form  
0
I
AS  
V
DS  
I
D
τ
t
d(on)  
t
r
t
d(off)  
t
f
V
DD  
t
on  
t
off  
τ = 1  
µ
s
Duty Cycle ≤ 1%  
Starting Tch  
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE  
D.U.T.  
= 2 mA  
I
G
RL  
50 Ω  
PG.  
VDD  
2
Data Sheet D14156EJ4V0DS  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NP36N055IHE NEC Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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