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NP36N055HLE-AZ

更新时间： 2024-01-02 19:01:39
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瑞萨 - RENESAS 开关脉冲晶体管
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9页 376K
描述
Power MOSFETs for Automotive, , /

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NP36N055HLE-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.46
雪崩能效等级（Eas）：108 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NP36N055HLE-AZ 数据手册

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NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE  
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS  
Figure7. DRAIN CURRENT vs.  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
100  
Pulsed  
Pulsed  
200  
160  
120  
10  
V
GS = 10 V  
4.5 V  
T
A
= −55˚C  
25˚C  
5 V  
1
0.1  
75˚C  
150˚C  
175˚C  
80  
40  
0
0.01  
5
6
1
2
3
4
2
4
3
0
1
VGS - Gate to Source Voltage - V  
V
DS - Drain to oltage - V  
Figure9. DRAIN TO E ON-STATE RESISTANCE vs.  
GATE TCE VOLTAGE  
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.  
DRAIN CURRENT  
100  
40  
V
DS=10V  
Pulsed  
Pulsed  
35  
10  
30  
15  
TA  
= 175˚C  
75˚C  
25˚C  
1
0.1  
−55˚C  
ID = 18 A  
10  
5
0.01  
0.01  
0
0.1  
1
1
100  
0
5
10  
15  
20  
ID - Drain Current
VGS - Gate to Source Voltage - V  
Figure10. DRAIN TO SON-STATE  
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.  
CHANNEL TEMPERATURE  
RESISTANRAIN CURRENT  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
3.0  
Pulsed  
V
GµS  
ID  
D=S =25V0  
A
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
5 V  
V
GS = 4.5 V  
10 V  
0.5  
0
0
1
10  
100  
1000  
−50  
0
50  
100  
150  
I
D
- Drain Current - A  
Tch - Channel Temperature - ˚C  
4
Data Sheet D14156EJ4V0DS  
1...3456789

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与NP36N055HLE-AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP36N055IHE NEC

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NP36N055IHE-E1 RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252
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