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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.8,20 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.27 | 最长访问时间： | 200 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27LV010TE250 | TI |
获取价格 |
128KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 |
|
| NM27LV010TE250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM |
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| NM27LV010TE300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| NM27LV010V200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM |
|
| NM27LV010V200 | TI |
获取价格 |
128KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| NM27LV010V250 | TI |
获取价格 |
128KX8 OTPROM, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| NM27LV010V250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM |
|
| NM27LV010V300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV010VE150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
OTP ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| NM27LV010VE200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM |
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