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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.76 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.995 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 11.455 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27LV010VE200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM |
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| NM27LV010VE200X | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NM27LV010VE250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM |
|
| NM27LV010VE250 | TI |
获取价格 |
IC 128K X 8 OTPROM, 250 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM |
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| NM27LV010VE300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV020C150 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV020C200 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV020C250 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV020CE150 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV020CE200 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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