5秒后页面跳转
NM27C256VE120 PDF预览

NM27C256VE120

更新时间: 2024-01-01 11:54:25
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 185K
描述
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM

NM27C256VE120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCJ,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.63
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PQCC-J32
长度:13.97 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.55 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

NM27C256VE120 数据手册

 浏览型号NM27C256VE120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NM27C256VE120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NM27C256VE120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NM27C256VE120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NM27C256VE120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NM27C256VE120的Datasheet PDF文件第7页 

与NM27C256VE120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NM27C256VE120X FAIRCHILD

获取价格

暂无描述
NM27C256VE150 ROCHESTER

获取价格

OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C256VE150 FAIRCHILD

获取价格

262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C256VE150 NSC

获取价格

262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C256VE150X FAIRCHILD

获取价格

OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C256VE200 FAIRCHILD

获取价格

262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C256VE200 NSC

获取价格

262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C256VE200 ROCHESTER

获取价格

OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C256VE200X FAIRCHILD

获取价格

暂无描述
NM27C256VE90 FAIRCHILD

获取价格

262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM