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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | QCCJ, |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.995 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 11.455 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C256VE200X | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| NM27C256VE90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512N | FAIRCHILD |
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524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512N120 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512N120 | TI |
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64KX8 OTPROM, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| NM27C512N120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512N150 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512N150 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 150ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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