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NM27C512N90

更新时间： 2024-11-16 20:19:47

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德州仪器 - TI		可编程只读存储器 OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	183K
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64KX8 OTPROM, 90ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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NM27C512N90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.68	最长访问时间：	90 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.725 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.334 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

NM27C512N90 数据手册

February 1994

NM27C512

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

General Description

The NM27C512 is a high performance 512K UV Erasable

Electrically Programmable Read Only Memory (EPROM). It

is manufactured using National’s proprietary 0.8 micron

CMOS AMG^TMEPROM technology for an excellent combi-

nation of speed and economy while providing excellent reli-

ability.

The NM27C512 is one member of a high density EPROM

Family which range in densities up to 4 Megabit.

Features

High performance CMOS

Ð 90 ns access time

The NM27C512 provides microprocessor-based systems

storage capacity for portions of operating system and appli-

cation software. Its 90 ns access time provides no-

wait-state operation with high-performance CPUs. The

NM27C512 offers a single chip solution for the code storage

requirements of 100% firmware-based equipment. Fre-

quently-used software routines are quickly executed from

EPROM storage, greatly enhancing system utility.

Fast turn-off for microprocessor compatibility

Manufacturers identification code

JEDEC standard pin configuration

Ð 28-pin DIP package

Ð 32-pin chip carrier

The NM27C512 is configured in the standard JEDEC

EPROM pinout which provides an easy upgrade path for

systems which are currently using standard EPROMs.

Block Diagram

TL/D/10834–1

TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.

NSC800^TMis a trademark of National Semiconductor Corporation.

AMG^TMis a trademark of WSI, Inc.

1995 National Semiconductor Corporation

TL/D/10834

RRD-B30M65/Printed in U. S. A.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NM27C512NE120	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512NE120	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
NM27C512NE150	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512NE150	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512NE200	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512NE200	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 200ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
NM27C512NE90	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512NE90	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512Q	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

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