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NM27C512NE200

更新时间： 2024-01-20 08:07:57
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 160K
描述
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

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NM27C512NE200 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：DIP,
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.63最长访问时间：200 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T28长度：35.725 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
座面最大高度：5.334 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

NM27C512NE200 数据手册

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February 1994  
NM27C512  
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM  
General Description  
The NM27C512 is a high performance 512K UV Erasable  
Electrically Programmable Read Only Memory (EPROM). It  
is manufactured using National’s proprietary 0.8 micron  
CMOS AMGTM EPROM technology for an excellent combi-  
nation of speed and economy while providing excellent reli-  
ability.  
The NM27C512 is one member of a high density EPROM  
Family which range in densities up to 4 Megabit.  
Features  
Y
High performance CMOS  
Ð 90 ns access time  
The NM27C512 provides microprocessor-based systems  
storage capacity for portions of operating system and appli-  
cation software. Its 90 ns access time provides no-  
wait-state operation with high-performance CPUs. The  
NM27C512 offers a single chip solution for the code storage  
requirements of 100% firmware-based equipment. Fre-  
quently-used software routines are quickly executed from  
EPROM storage, greatly enhancing system utility.  
Y
Fast turn-off for microprocessor compatibility  
Y
Manufacturers identification code  
Y
JEDEC standard pin configuration  
Ð 28-pin DIP package  
Ð 32-pin chip carrier  
The NM27C512 is configured in the standard JEDEC  
EPROM pinout which provides an easy upgrade path for  
systems which are currently using standard EPROMs.  
Block Diagram  
TL/D/10834–1  
TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.  
NSC800TM is a trademark of National Semiconductor Corporation.  
AMGTM is a trademark of WSI, Inc.  
C
1995 National Semiconductor Corporation  
TL/D/10834  
RRD-B30M65/Printed in U. S. A.  
1234567...10

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