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NLAST44599MN

更新时间： 2024-10-31 03:46:23
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安森美 - ONSEMI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 147K
描述
Low Voltage Single Supply Dual DPDT Analog Switch

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NLAST44599MN 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：QFN-16
针数：16Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：7.52
模拟集成电路 - 其他类型：DPDTJESD-30 代码：S-XQCC-N16
JESD-609代码：e0长度：3 mm
正常位置：NC信道数量：2
功能数量：2端子数量：16
标称断态隔离度：93 dB最大通态电阻 (Ron)：105 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC16,.12SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：2.5/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES最长断开时间：12 ns
最长接通时间：35 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn90Pb10)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3 mm
Base Number Matches：1

NLAST44599MN 数据手册

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NLAST44599  
Low Voltage Single Supply  
Dual DPDT Analog Switch  
The NLAST44599 is an advanced CMOS dual−independent  
DPDT (double pole−double throw) analog switch, fabricated with  
silicon gate CMOS technology. It achieves high−speed propagation  
delays and low ON resistances while maintaining CMOS low−power  
dissipation. This DPDT controls analog and digital voltages that may  
http://onsemi.com  
MARKING  
vary across the full power−supply range (from V to GND).  
CC  
The device has been designed so the ON resistance (R ) is much  
DIAGRAMS  
ON  
lower and more linear over input voltage than R of typical CMOS  
ON  
16  
analog switches.  
1
The channel−select input structure provides protection when  
voltages between 0 V and 5.5 V are applied, regardless of the supply  
voltage. This input structure helps prevent device destruction caused  
by supply voltage − input/output voltage mismatch, battery backup,  
hot insertion, etc.  
T
ALYW  
QFN−16  
MN SUFFIX  
CASE 485G  
(TOP VIEW)  
The NLAST44599 can also be used as a quad 2−to−1 multiplexer−  
demultiplexer analog switch with two Select pins that each controls  
two multiplexer−demultiplexers.  
16  
• Select Pins Compatible with TTL Levels  
• Channel Select Input Overvoltage Tolerant to 5.5 V  
• Fast Switching and Propagation Speeds  
NLAST  
4459  
ALYW  
16  
1
1
• Break−Before−Make Circuitry  
• Low Power Dissipation: I = 2 ꢀ A (Max) at T = 25°C  
TSSOP−16  
DT SUFFIX  
CASE 948F  
CC  
A
• Diode Protection Provided on Channel Select Input  
• Improved Linearity and Lower ON Resistance over Input Voltage  
• Latch−up Performance Exceeds 300 mA  
A
L
Y
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
• ESD Performance: Human Body Model > 2000 V;  
Machine Model > 200 V  
W
= Work Week  
• Chip Complexity: 158 FETs  
• Pb−Free Packages are Available  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
February, 2005 − Rev. 7  
NLAST44599/D  
1234567...12

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NLAST44599MN 替代型号

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NLAST44599MNG ONSEMI

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