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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> NLAST4599DTT1G
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NLAST4599DTT1G

更新时间： 2024-11-24 03:46:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 139K
描述
Low Voltage Single Supply SPDT Analog Switch

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NLAST4599DTT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSOP6,.11,37针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.29模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
长度：3 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：6标称断态隔离度：93 dB
通态电阻匹配规范：3 Ω最大通态电阻 (Ron)：55 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSOP6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
最长断开时间：15 ns最长接通时间：25 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：1.5 mmBase Number Matches：1

NLAST4599DTT1G 数据手册

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NLAST4599  
Low Voltage Single Supply  
SPDT Analog Switch  
The NLAST4599 is an advanced high speed CMOS single pole −  
double throw analog switch fabricated with silicon gate CMOS  
technology. It achieves high speed propagation delays and low ON  
resistances while maintaining low power dissipation. This switch  
controls analog and digital voltages that may vary across the full  
http://onsemi.com  
power−supply range (from V to GND).  
CC  
The device has been designed so the ON resistance (R ) is much  
MARKING  
ON  
lower and more linear over input voltage than R of typical CMOS  
DIAGRAMS  
ON  
analog switches.  
The channel select input structure provides protection when  
voltages between 0 V and 5.5 V are applied, regardless of the supply  
voltage. This input structure helps prevent device destruction caused  
by supply voltage − input/output voltage mismatch, battery backup,  
hot insertion, etc.  
TSOP−6  
DT SUFFIX  
CASE 318G  
A1AYWG  
G
1
Features  
SC−88/SC−70/SOT−363  
DF SUFFIX  
• Select Pin Compatible with TTL Levels  
• Channel Select Input Over−Voltage Tolerant to 5.5 V  
• Fast Switching and Propagation Speeds  
A1 M G  
G
CASE 419B  
1
• Break−Before−Make Circuitry  
• Low Power Dissipation: I = 2 ꢀ A (Max) at T = 25°C  
CC  
A
A1 = Specific Device Code  
• Diode Protection Provided on Channel Select Input  
• Improved Linearity and Lower ON Resistance over Input Voltage  
• Latch−up Performance Exceeds 300 mA  
• ESD Performance: HBM > 2000 V; MM > 200 V  
• Chip Complexity: 38 FETs  
A
Y
W
M
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or position and underbar  
may vary depending upon manufacturing location.  
• Pb−Free Packages are Available  
FUNCTION TABLE  
1
2
3
NO  
6
5
4
SELECT  
Select  
ON Channel  
V
+
COM  
NC  
L
NC  
NO  
H
GND  
ORDERING INFORMATION  
Figure 1. Pin Assignment  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
CHANNEL SELECT  
COM  
2 X 0  
2 X 1  
U
U
NO  
NC  
U
Figure 2. Logic Symbol  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 8  
NLAST4599/D  
1234567...12

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