是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0603 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8504.50.80.00 |
风险等级: | 5.92 | 大小写代码: | 0603 |
构造: | Resin Coated | 型芯材料: | ALUMINA |
直流电阻: | 0.18 Ω | 标称电感 (L): | 0.0056 µH |
电感器应用: | RF INDUCTOR | 电感器类型: | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装高度: | 0.8 mm |
封装长度: | 1.6 mm | 封装形式: | SMT |
封装宽度: | 0.8 mm | 包装方法: | TR |
最小质量因数(标称电感时): | 9 | 最大额定电流: | 0.43 A |
自谐振频率: | 4600 MHz | 系列: | NIS |
形状/尺寸说明: | RECTANGULAR PACKAGE | 屏蔽: | NO |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子位置: | DUAL ENDED | 端子形状: | WRAPAROUND |
测试频率: | 100 MHz | 容差: | 5% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NIS5N6DTRF | NICHICON |
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IND,ALUMINA,5.6NH,5% +TOL,5% -TOL,0603 CASE | |
NIS5N6JTR | NICHICON |
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IND,ALUMINA,5.6NH,5% +TOL,5% -TOL,0603 CASE | |
NIS6111 | ONSEMI |
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Better Efficiency Rectifier System | |
NIS6111_05 | ONSEMI |
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BERS IC (Better Efficiency Rectifier System) | |
NIS6111QPT1 | ONSEMI |
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Better Efficiency Rectifier System | |
NIS6111QPT1G | ONSEMI |
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BERS IC (Better Efficiency Rectifier System) | |
NIS6150 | ONSEMI |
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5 Volt Electronic eFuse | |
NIS6150MT1TXG | ONSEMI |
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5 Volt Electronic eFuse | |
NIS6150MT2TXG | ONSEMI |
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5 Volt Electronic eFuse | |
NIS6151 | ONSEMI |
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5 Volt Electronic eFuse |