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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NIS6111QPT1
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NIS6111QPT1

更新时间： 2024-09-12 21:53:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 69K
描述
Better Efficiency Rectifier System

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NIS6111QPT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE 488AC-01, LLP-32针数：32
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.74应用：EFFICIENCY
配置：COMPLEX二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：S-PQCC-N11JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：90 A
元件数量：1相数：1
端子数量：11最高工作温度：125 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：24 V最大反向恢复时间：0.0365 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

NIS6111QPT1 数据手册

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NIS6111  
Product Preview  
Better Efficiency Rectifier  
System  
Ultra Efficient, High Speed Diode  
http://onsemi.com  
The NIS6111 ORing diode is a high speed, high efficiency, hybrid  
rectifier, designed for low voltage, high current systems, such as  
those required for today’s digital circuits. It couples a high speed  
integrated circuit with a power MOSFET to create a diode with the  
same forward drop characteristics as a MOSFET. It offers increased  
efficiency for switching power supplies as well as in ORing diode  
applications.  
It offers a low on resistance that can be further reduced by the  
addition of external MOSFETs. It features the highest reverse  
recovery speed of any device in the industry.  
MARKING  
DIAGRAM  
1
PLLP32  
TBD  
CASE 488AC  
1
32  
A
= Assembly Location  
WL = Wafer Lot  
YY = Year  
WW = Work Week  
Features  
• Low Forward Drop Improves System Efficiency  
• Ultra High Speed  
PIN CONNECTIONS  
• Can be used in High Side and Low Side Configurations  
• 24 V Rating  
• Allows use of External MOSFETs for Extended Current Handling  
4
1
Capacity  
3
5
Applications  
• Redundant Power Supplies for High−Availability Systems  
• Static ORing Diodes  
2
• Low Voltage, Isolated Outputs  
(Bottom View)  
• Flyback, Forward Converter, Half Bridge Converters  
4
Cathode  
5
PIN ASSIGNMENT  
3
Pin Symbol  
Function  
Gate  
Reg In  
Anode  
1
2
Anode  
Power Input Connected to System  
Internal Output of Internal Voltage Regulator provides power for  
5.0 V  
NTD110N02R  
internal only. No external components required at this pin.  
1
3
Gate  
Gate Driver Output for Internal and External  
N−Channel MOSFET  
Figure 1. Equivalent Circuit  
4
5
Cathode Power Output Connected to System  
Reg In Input of Internal Voltage Regulator  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NIS6111QPT1  
PLLP32  
2000 Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. P3  
NIS6111/D  
12345678

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NIS6111QPT1 替代型号

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NIS6111QPT1G ONSEMI

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