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NESG3031M05-A

更新时间： 2024-01-19 11:46:00
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
10页 182K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN

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NESG3031M05-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.23
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.035 A
基于收集器的最大容量：0.25 pF集电极-发射极最大电压：4.3 V
配置：SINGLE最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F4JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON GERMANIUMBase Number Matches：1

NESG3031M05-A 数据手册

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NESG3031M05  
OUTPUT POWER, COLLECTOR  
CURRENT vs. INPUT POWER  
OUTPUT POWER, COLLECTOR  
CURRENT vs. INPUT POWER  
20  
15  
10  
5
50  
40  
30  
20  
20  
15  
10  
5
50  
40  
30  
20  
10  
0
V
CE = 3 V, f = 2.4 GHz  
V
CE = 3 V, f = 5.8 GHz  
I
C (set) = 20 mA  
IC (set) = 20 mA  
P
out  
P
out  
I
C
I
C
0
0
10  
0
–5  
–20  
–5  
–15  
–15  
–10  
–5  
0
5
–10  
–5  
0
5
10  
Input Power Pin (dBm)  
Input Power Pin (dBm)  
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN  
vs. COLLECTOR CURRENT  
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN  
vs. COLLECTOR CURRENT  
5
4
20  
16  
12  
8
5
4
15  
12  
9
G
a
G
a
3
2
1
0
3
2
1
0
6
4
3
NF  
NF  
V
CE = 2 V  
VCE = 2 V  
f = 5.8 GHz  
f = 2.4 GHz  
0
100  
0
100  
1
10  
Collector Current I  
1
10  
Collector Current I  
C
(mA)  
C
(mA)  
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
7
Data Sheet PU10414EJ04V0DS  
1...45678910

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NESG3031M05-A-FB RENESAS C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN

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