NESG260234

更新时间： 2024-02-25 07:23:44

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日电电子 - NEC		晶体晶体管放大器
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4页	254K
描述
3-PIN POWER MINIMOLD

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NESG260234 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	7.2 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NESG260234 数据手册

NESG260234

ELECTRICAL CHARACHTERISTICS (TA = 25°C)

PARAMETER

DC Characteristics

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

−

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

VCB = 9.2 V, IE = 0 mA

μA

−

VEB = 1.0 V, IC = 0 mA

VCE = 3 V, IC = 100 mA

Note

hFE

120

180

RF Characteristics

−

ηc

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pin = 0 dBm

−

Linear gain (1)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pin = 0 dBm

Linear gain (2)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pin = 15 dBm

28.5

−

30.0

dBm

Output Power (1)

Output Power (2)

Collector Efﬁciency (1)

Collector Efﬁciency (2)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pin = 20 dBm

−

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pin = 15 dBm

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pin = 20 dBm

ηc

−

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2%

hFE CLASSIFICATION

RANK

Marking

hFE Value

80 to 180

1 234

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