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NESG260234

更新时间: 2024-01-02 07:16:22
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
11页 353K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NESG260234 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.17
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:7.2 V
配置:SINGLE最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NESG260234 数据手册

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NESG260234  
THERMAL RESISTANCE (TA = +25°C)  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
65  
Unit  
Termal Resistance from Junction to  
Ambient Note  
Rthj-a  
°C/W  
Note Mounted on 34.2 cm2 × 0.8 mm (t) glass epoxy PWB  
RECOMMENDED OPERATING RANGE (TA = +25°C)  
Parameter  
Collector to Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCE  
IC  
MIN.  
TYP.  
6.0  
MAX.  
7.2  
Unit  
V
400  
15  
500  
20  
mA  
dBm  
Input Power Note  
Pin  
Note Input power under conditions of VCE 6.0 V, f = 460 MHz  
2
Data Sheet PU10547EJ02V0DS  

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