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NESG260234

更新时间： 2024-01-28 06:20:05

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CEL		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
11页	353K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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NESG260234 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	7.2 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NESG260234 数据手册

NESG260234

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

CE = 7 V

CE = 6 V

f = 460 MHz

100

Collector Current I

1 000

100

Collector Current I

1 000

(mA)

INSERTION POWER GAIN,

MAG, MSG vs. FREQUENCY

INSERTION POWER GAIN,

MAG, MSG vs. FREQUENCY

CE = 6 V

CE = 5 V

I = 100 mA

MSG

MAG

MSG

|S21e

0.1

1.0

Frequency f (GHz)

INSERTION POWER GAIN,

MAG, MSG vs. FREQUENCY

INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG

vs. COLLECTOR CURRENT

CE = 7 V

MSG

I = 100 mA

MAG

MSG

MAG

|S21e

MAG

MSG

|S21e

CE = 5 V

f = 460 MHz

0.1

1.0

Frequency f (GHz)

100

Collector Current I

1 000

(mA)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PU10547EJ02V0DS

1...3 4 567 8 9...11

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