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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A | 基于收集器的最大容量： | 1.1 pF |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NESG240033-A | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOL |
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| NESG240033-A-FB | RENESAS | TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| NESG240033-FB-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| NESG240033-T1B | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOL |
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| NESG240033-T1B | RENESAS | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOL |
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| NESG240033-T1B-A | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOL |
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