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NESG240033

更新时间： 2024-01-19 03:15:21

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	225K
描述
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

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NESG240033 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	1.1 pF
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10500 MHz
Base Number Matches：	1

NESG240033 数据手册

NESG240033

<R>

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise specified)

TOTAL POWER DISSIPATION

vs. AMBIENT TEMPERATURE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

1 000

3.8 cm × 9.0 cm × 0.8mm (t),

f = 1 MHz

FR–4

500

480

100

125

(°C)

150

Collector to Base Voltage V^CB(V)

Ambient Temperature T

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

100

CE = 3 V

CE = 5 V

0.1

0.01

0.001

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Base to Emitter Voltage V^BE(V)

Base to Emitter Voltage VBE (V)

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

250

200

150

1700 A

1 500 μA

1 300 A

1 100 A

900 A

700

100

500 A

300 A

I = 100 A

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PU10768EJ02V0DS

1 2 3 456 7 8...10

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