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NE3510M04-T2-A PDF预览

NE3510M04-T2-A

更新时间： 2024-02-21 00:16:47
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体晶体管场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
11页 181K
描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NE3510M04-T2-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (ID)：0.03 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
最小功率增益 (Gp)：14.5 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

NE3510M04-T2-A 数据手册

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NE3510M04  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25$C, unless otherwise specified)  
TOTAL POWER DISSIPATION  
vs. AMBIENT TEMPERATURE  
DRAIN CURRENT vs.  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
250  
200  
150  
100  
50  
V
DS = 2 V  
Mounted on Glass Epoxy PCB  
(1.08 cm2 = 1.0 mm (t) )  
10  
0
–1.0  
–0.8  
–0.6  
–0.4  
–0.2  
0
0
50  
100  
150  
200  
($C)  
250  
Ambient Temperature T  
A
Gate to Source Voltage VGS (V)  
MINIMUM NOISE FIGURE,  
ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY  
DRAIN CURRENT vs.  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
V
= 2 V  
I
D
D=S 15 mA  
V
GS = 0 V  
–0.1 V  
–0.2 V  
Ga  
–0.3 V  
–0.4 V  
–0.5 V  
NFmin  
6
4
–0.6 V  
–0.7 V  
2
0
1
2
3
4
5
0
5
10  
15  
0
Frequency f (GHz)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
MINIMUM NOISE FIGURE,  
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT  
MINIMUM NOISE FIGURE,  
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
f = 2.0 GHz  
f = 4.0 GHz  
V
DS = 2 V  
VDS = 2 V  
G
a
G
a
NFmin  
NFmin  
6
6
4
4
0.1  
2
0.1  
2
0.0  
0.0  
0
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
0
5
10  
15  
20  
25  
(mA)  
30  
35  
Drain Current I  
D
(mA)  
Drain Current I  
D
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
3
Data Sheet PG10676EJ01V0DS  
1234567...11

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