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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE32400
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NE32400

更新时间： 2024-11-08 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

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NE32400 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N6针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最小漏源击穿电压：4 VFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：KA BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N6
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：10 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NE32400 数据手册

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DATA SHEET  
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR  
NE32400, NE24200  
C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER  
N-CHANNEL HJ-FET CHIP  
DESCRIPTION  
NE32400 and NE24200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs  
and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable  
for commercial systems, industrial and space applications.  
FEATURES  
•
Super Low Noise Figure & High Associated Gain  
NF = 0.6 dB TYP., Ga = 11.0 dB TYP. at f = 12 GHz  
Gate Length: Lg = 0.25 µm  
•
•
Gate Width : W = 200 µm  
g
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUALITY GRADE  
APPLICATIONS  
Commercial  
Industrial, space  
NE32400  
NE24200  
Standard (Grade D)  
Grade C and B (B is special order)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
VDS  
VGS  
ID  
4.0  
–3.0  
V
V
IDSS  
mA  
mW  
˚C  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Ptot*  
Tch  
200  
175  
Tstg  
–65 to +175  
˚C  
* Chip mounted on a Alumina heatsink (size: 3 × 3 × 0.6t)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
PARAMETER  
Gate to Source Leak Current  
Saturated Drain Current  
Gate to Source Cutoff Voltage  
Transconductance  
SYMBOL  
IGSO  
MIN.  
–
TYP.  
0.5  
40  
MAX.  
10  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
VGS = –3 V  
µA  
mA  
V
IDSS  
15  
70  
VDS = 2 V, VGS = 0 V  
VGS(off)  
gm  
–0.2  
45  
–0.8  
60  
–2.0  
–
VDS = 2 V, ID = 100 µA  
VDS = 2 V, ID = 10 mA  
channel to case  
mS  
˚C/W  
dB  
Thermal Resistance  
Noise Figure  
Rth*  
–
–
260  
0.7  
–
NF  
–
0.6  
11.0  
VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz  
Associated Gain  
Ga  
10.0  
dB  
RF performance is determined by packaging and testing 10 chips per wafer.  
Wafer rejection criteria for standard devices is 2 rejects per 10 samples.  
Document No. P11345EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TD-2358)  
Date Published May 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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