NE32500

更新时间： 2024-09-24 22:29:07

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

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NE32500 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	4 V	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	KA BAND	JESD-30 代码：	S-XUUC-N4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	11 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE32500 数据手册

DATA SHEET

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE32500, NE27200

C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET CHIP

DESCRIPTION

NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs

and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable

for commercial systems, industrial and space applications.

FEATURES

•

Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

Gate Length: L^g= 0.2 µm

•

Gate Width : W^g= 200 µm

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUALITY GRADE

NE32500

NE27200

Standard (Grade D)

Special, specific (Grade C and B)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

VDS

V^GS

4.0

–3.0

IDSS

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Ptot*

T^ch

200

175

Tstg

–65 to +175

°C

* Chip mounted on a Alumina heatsink (size: 3 × 3 × 0.6^t)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Gate to Source Leak Current

Saturated Drain Current

Gate to Source Cutoff Voltage

Transconductance

SYMBOL

IGSO

MIN.

–

TYP.

0.5

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

VGS = –3 V

µA

IDSS

VDS = 2 V, VGS = 0 V

VGS(off)

–0.2

–0.7

–2.0

–

VDS = 2 V, ID = 100 µA

VDS = 2 V, ID = 10 mA

channel to case

˚C/W

Thermal Resistance

Noise Figure

Rth*

–

260

0.55

–

0.45

12.5

VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz

Associated Gain

11.0

RF performance is determined by packaging and testing 10 chips per wafer.

Wafer rejection criteria for standard devices is 2 rejects per 10 samples.

Document No. P11512EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published January 1997 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE32500M	CEL	获取价格	C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP
NE32500M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE32500M-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE32500N	CEL	获取价格	C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP
NE32500N	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE32500N-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE32584	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32584C	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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