Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE3210S01

NE3210S01

更新时间： 2024-01-25 09:53:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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16页	63K
描述
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

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NE3210S01 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-XRDB-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.015 A	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	O-XRDB-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	230
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	12 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3210S01 数据手册

DATA SHEET

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3210S01

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER

N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

•

Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm

•

Gate Width : Wg = 160 µm

ORDERING INFORMATION (PLAN)

Part Number

Supplying Form

Marking

NE3210S01-T1

NE3210S01-T1B

Tape & reel 1 000 pcs./reel

Tape & reel 4 000 pcs./reel

Remark For sample order, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order: NE3210S01)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Symbol

V^DS

V^GS

I^D

Ratings

4.0

Unit

Gate to Source Voltage

Drain Current

–3.0

IDSS

100

µA

°C

Gate Current

I^G

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

165

T^ch

125

T^stg

–65 to +125

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T^A= +25°C)

Characteristics

Drain to Source Voltage

Symbol

V^DS

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

–

Drain Current

Input Power

I^D

–

dBm

Pⁱⁿ

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P14067EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

The mark shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7...16

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NE3210S01 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE3210S01-T1B	CEL	功能相似	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE3210S01-T1	CEL	功能相似	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE3210S01	CEL	功能相似	SUPER LOW NOISE HJ FET

与NE3210S01相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE3210S01-T1	NEC	获取价格	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE3210S01-T1	CEL	获取价格	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE3210S01-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,4V V(BR)DSS,15MA I(DSS),SOT-173X
NE3210S01-T1B	NEC	获取价格	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE3210S01-T1B	CEL	获取价格	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE32183A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 4V V(BR)DSS \| 12MA I(DSS) \| MICRO-X
NE32184A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 4V V(BR)DSS \| 12MA I(DSS) \| MACRO-X
NE32400	NEC	获取价格	C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
NE32400_98	NEC	获取价格	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE32400M	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun

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