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NDH8321C PDF预览

NDH8321C

更新时间： 2024-02-18 11:16:57
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 252K
描述
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDH8321C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.8 A最大漏极电流 (ID)：3.8 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NDH8321C 数据手册

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January 1999  
NDH8321C  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P -Channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where fast  
N-Ch 3.8 A, 20 V, RDS(ON)=0.035 W @ VGS= 4.5 V  
RDS(ON)=0.045 W @ VGS=2.7 V  
P-Ch -2.7 A, -20V, RDS(ON)=0.07W @ VGS= -4.5 V  
RDS(ON)=0.095 W @ VGS= -2.7 V.  
Proprietary SuperSOTTM-8 package design using copper  
lead frame for superior thermal and electrical capabilities.  
switching, low in-line power loss, and resistance  
transients are needed.  
to  
High density cell design for extremely low RDS(ON).  
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
_______________________________________________________________________________  
D2  
D2  
4
5
6
D1  
D1  
3
2
S2  
G2  
7
8
S1  
G1  
SuperSOTTM-8  
Mark: .8321C  
1
Absolute Maximum Ratings TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
-20  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
20  
±8  
±8  
V
(Note 1)  
(Note 1)  
3.8  
15  
-2.7  
A
-10  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
0.8  
W
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
156  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDH8321C Rev.C1  
1234567...12

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NDH8321C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS8858H FAIRCHILD

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 Complementry MOSFET Half Bridge
FDW2521C FAIRCHILD

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SI4511DY-T1-E3 VISHAY

功能相似

 N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与NDH8321C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDH8321CD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, N-Channel and P-Channel, Silicon, Me
NDH8321CL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
NDH8321CS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, N-Channel and P-Channel, Silicon, Me
NDH832P FAIRCHILD

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 		P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH832P/D84Z TI

获取价格

 		4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832P/L86Z TI

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 		4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832P/L99Z TI

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 		4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832P/S62Z TI

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 		4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832PD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDH832PL86Z FAIRCHILD

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