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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDH832P/L99Z | TI |
获取价格 |
4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDH832P/S62Z | TI |
获取价格 |
4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDH832PD84Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH832PL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH832PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH833N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDH833ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH833NS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH834P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDH834PD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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