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NDH8447/L86Z

更新时间: 2024-01-29 05:20:49
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
4400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDH8447/L86Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):4.4 A
最大漏源导通电阻:0.053 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:0.9 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDH8447/L86Z 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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