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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDH832P/L86Z | TI |
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4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDH832P/L99Z | TI |
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4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDH832P/S62Z | TI |
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4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDH832PD84Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH832PL86Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH832PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH833N | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDH833ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH833NS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH834P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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