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NDH832P

更新时间： 2024-02-11 04:01:13

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	84K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDH832P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.2 A	最大漏极电流 (ID)：	4.2 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDH832P 数据手册

June 1996

NDH832P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-4.2A, -20V. R_DS(ON)= 0.06W @ V_GS= -4.5V

These P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits where

fast switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

R_DS(ON)= 0.08W @ V_GS= -2.7V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON).

Enhanced SuperSOT^TM-8 small outline surface mount

package with high power and current handling capability.

___________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDH832P

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-20

V_DSS

V_GSS

I_D

-8

-4.2

(Note 1a)

-15

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.8

P_D

(Note 1c)

0.9

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NDH832P Rev. B2

12 3 4 5 6 7 8

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NDH832P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS6375	ONSEMI	功能相似	P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-8A，24m
FDS4435BZ	ONSEMI	功能相似	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ
TPS1100D	TI	功能相似	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与NDH832P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDH832P/D84Z	TI	获取价格	4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832P/L86Z	TI	获取价格	4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832P/L99Z	TI	获取价格	4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832P/S62Z	TI	获取价格	4200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH832PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDH832PL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDH832PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDH833N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH833ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDH833NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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