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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 280 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 420 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB506B | TI |
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TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purpo |
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| NDB506B/L86Z | TI |
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24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB506B/L99Z | TI |
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24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB506BE/L86Z | TI |
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24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB506BEL | TI |
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24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB506BEL/L86Z | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB506BL | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB506BL/L99Z | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB508A | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDB508A/L86Z | TI |
获取价格 |
19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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