5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB506BL | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB506BL/L99Z | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB508A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB508A/L86Z | TI |
获取价格 |
19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB508AE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB508AE/L86Z | TI |
获取价格 |
19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB508AEL | TI |
获取价格 |
19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB508AEL/L86Z | TI |
获取价格 |
19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB508AEL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDB508AL | TI |
获取价格 |
19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
