5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB508BL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDB510A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB510A | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB510A/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB510AE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB510AE | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB510AE/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB510AEL/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB510AEL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDB510AL | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
